FQD1N80TM, Nкан 800В 1А DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
132 ֏
1 шт.
на сумму 132 ֏
Описание
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20 ом при 0.5а, 10в | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 0.75 | |
| Корпус | dpak | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
| Вес, г | 0.66 |
