FQP30N06, Транзистор MOSFET N-канал 60В 30А [TO-220]
![Фото 1/5 FQP30N06, Транзистор MOSFET N-канал 60В 30А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
570 ֏
от 5 шт. —
540 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 22,6А, 79Вт, TO220-3
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 79 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | QFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 2.5 |
