FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220]
![Фото 1/3 FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172664.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/586/DOC012586614.jpg)
1 280 ֏
820 ֏
от 15 шт. —
800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 ֏
Описание
FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня энергетической силы лавинного процесса. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.
• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь коммутации
• Lower conduction loss
• 175°C maximum junction temperature rating
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.052 Ом/16.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 127 | |
Корпус | to-220 | |
Вес, г | 2.5 |