FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F]
![Фото 1/6 FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/700/DOC021700575.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC043786642.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436575.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516945.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478587.jpg)
1 040 ֏
600 ֏
от 15 шт. —
580 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 ֏
Описание
МОП-транзистор 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.8 Ом/1.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 39 | |
Корпус | TO-220F | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FQPF3N80C
pdf, 810 КБ
Документация
pdf, 886 КБ
FQPF3N80C
pdf, 888 КБ