FS150R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 150 А, 1.75 В, 680 Вт, 150 °C, Module
![Фото 1/2 FS150R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 150 А, 1.75 В, 680 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/615/DOC007615578.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
267 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 267 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и Модули
Модуль IGBT Trench Field Stop Трехфазный инвертор 1200 В, 200 А, 680 Вт Модуль для монтажа на шасси
Технические параметры
| Base Product Number | FS150R12 -> |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 9.35nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 680W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 680 W |
| Package Type | Module |
| Вес, г | 400 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 805 КБ
