FS200R12KT4RBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 280 А, 1.75 В, 1 кВт, 150 °C, Module
![Фото 1/2 FS200R12KT4RBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 280 А, 1.75 В, 1 кВт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/813/DOC002813568.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/966/DOC029966780.jpg)
308 000 ֏
от 5 шт. —
282 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 308 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
FS200R12KT4R, SP000715004
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 280А |
DC Ток Коллектора | 280А |
Power Dissipation | 1кВт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
Линейка Продукции | Econo 3 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 1кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Channel Type | N |
Configuration | 3 Phase Bridge |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 280 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1000 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | EconoPACK 3 |
Pin Count | 35 |
Transistor Configuration | 3 Phase |
Вес, г | 0.31 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FS200R12KT4RBOSA1
pdf, 706 КБ