FS200R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 280 А, 1.75 В, 1 кВт, 150 °C, Module
![Фото 1/2 FS200R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 280 А, 1.75 В, 1 кВт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/296/DOC005296257.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/810/DOC024810245.jpg)
292 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 292 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The infineon IGBT module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and press FIT / NTC it is use in high power converters, motor drives, traction drives, ups systems etc.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 280А |
DC Ток Коллектора | 280А |
Power Dissipation | 1кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
Линейка Продукции | EconoPACK 4 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
Полярность Транзистора | Шесть N Каналов |
Рассеиваемая Мощность | 1кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 280 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 1 kW |
Number of Transistors | 6 |
Package Type | EconoPACK |
Вес, г | 0.31 |
Техническая документация
Datasheet FS200R12PT4BOSA1
pdf, 811 КБ