FS300R12OE4B81BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 300 А, 1.76 В, 150 °C, Module

Фото 1/2 FS300R12OE4B81BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 300 А, 1.76 В, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
502 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 502 000 ֏
Номенклатурный номер: 8004137977

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

FS300R12OE4_B81, SP002753986

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.76В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 300А
DC Ток Коллектора 300А
Power Dissipation -
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Six Pack(Full Bridge)
Линейка Продукции EconoPACK TrenchStop
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.76В
Рассеиваемая Мощность -
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Pd - рассеивание мощности 20 mW
Вид монтажа Screw
Другие названия товара № SP002753986
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP EconoPACK PressFIT
Конфигурация 6-Pack
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.76 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 300 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки 4
Серия Trenchstop IGBT4 - E4
Технология Si
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Упаковка / блок Module
Вес, г 25

Техническая документация