FS50R07W1E3B11ABOMA1, IGBT MODULE, 650V, 70A, 205W, PRESS FIT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 200 ֏
от 5 шт. —
46 000 ֏
от 10 шт. —
40 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 50 200 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 70А |
| DC Ток Коллектора | 70А |
| Power Dissipation | 205Вт |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
| Линейка Продукции | EasyPACK |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.45В |
| Рассеиваемая Мощность | 205Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 250 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 494 КБ
