FZ2400R33HE4BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three level Inverter, 2.4 кА, 2.4 В, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 833 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 833 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon single-switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.4В |
| Collector Emitter Voltage Max | 3.3кВ |
| Continuous Collector Current | 2.4кА |
| DC Ток Коллектора | 2.4кА |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Three level Inverter |
| Линейка Продукции | IHM-B |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 3.3кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 3300 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 2.4 kA |
| Maximum Power Dissipation | 5400 kW |
| Number of Transistors | 3 |
| Package Type | AG-IHVB190 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 833 КБ
Datasheet FZ2400R33HE4BPSA1
pdf, 796 КБ
