FZ600R12KE4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Switch, 600 А, 1.75 В, 3 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
181 000 ֏
от 5 шт. —
165 000 ֏
от 10 шт. —
149 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 181 000 ֏
Описание
The Infineon IGBT module has VCEsat with positive temperature coefficient. This IGBT module offers high creep age and clearance distances.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 3 kW |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | Module |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet FZ600R12KE4HOSA1
pdf, 663 КБ
