FZT851QTA, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 3 Вт, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 460 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
1 240 ֏
от 100 шт. —
980 ֏
8 шт.
на сумму 11 680 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 400V NPN Med PWR 100mA 200mV 20A
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Continuous Collector Current | 6А |
| DC Current Gain hFE Min | 25hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 25hFE |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Частота Перехода ft | 130МГц |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FZT851QTA |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FZT851QTA
pdf, 457 КБ
