GD100FFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 168 А, 1.85 В, 632 Вт, 150 °C
![GD100FFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 168 А, 1.85 В, 632 Вт, 150 °C](https://static.chipdip.ru/lib/137/DOC035137827.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 9-11 недель
160 000 ֏
от 5 шт. —
149 000 ֏
от 10 шт. —
139 000 ֏
1 шт.
на сумму 160 000 ֏
Номенклатурный номер: 8007248970
Бренд: STARPOWER
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 168А |
DC Ток Коллектора | 168А |
Power Dissipation | 632Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Three Phase Full Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 632Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet GD100FFX170C6S
pdf, 204 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг