GD100FFY120C6S, TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 155A
![GD100FFY120C6S, TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 155A](https://static.chipdip.ru/lib/137/DOC035137827.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 9-11 недель
116 000 ֏
от 5 шт. —
94 500 ֏
от 10 шт. —
82 700 ֏
1 шт.
на сумму 116 000 ֏
Номенклатурный номер: 8009492133
Бренд: STARPOWER
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 155А |
DC Ток Коллектора | 155А |
Power Dissipation | 511Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Three Phase Full Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 511Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 150 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг