GD100SGY120D6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, 155 А, 1.7 В, 500 Вт, 150 °C, Module
![GD100SGY120D6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, 155 А, 1.7 В, 500 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/038/DOC043038698.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 9-11 недель
23 200 ֏
1 шт.
на сумму 23 200 ֏
Номенклатурный номер: 8009220425
Бренд: STARPOWER
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 155А |
DC Ток Коллектора | 155А |
Power Dissipation | 500Вт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 500Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench |
Вес, г | 152.9 |
Техническая документация
Datasheet GD100SGY120D6S
pdf, 413 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг