GD1400HFX170P2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 2.342 кА, 1.95 В, 9.37 кВт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 шт., срок 9-11 недель

610 000 ֏

1 шт. на сумму 610 000 ֏

Номенклатурный номер: 8006492171

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.95В
Collector Emitter Voltage Max	1.7кВ
Continuous Collector Current	2.342кА
DC Ток Коллектора	2.342кА
Power Dissipation	9.37кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.95В
Рассеиваемая Мощность	9.37кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	300