GD150FFX65C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 181 А, 1.45 В, 442 Вт, 150 °C
![GD150FFX65C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 181 А, 1.45 В, 442 Вт, 150 °C](https://static.chipdip.ru/lib/137/DOC035137827.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 9-11 недель
107 000 ֏
от 5 шт. —
99 800 ֏
от 10 шт. —
93 000 ֏
1 шт.
на сумму 107 000 ֏
Номенклатурный номер: 8007248972
Бренд: STARPOWER
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 181А |
DC Ток Коллектора | 181А |
Power Dissipation | 442Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Three Phase Full Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.45В |
Рассеиваемая Мощность | 442Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet GD150FFX65C6S
pdf, 217 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг