GD200SGY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single, 309 А, 1.7 В, 1.006 кВт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 шт., срок 9-11 недель

66 400 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 66 400 ֏

Номенклатурный номер: 8009961489

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.7В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	309А
DC Ток Коллектора	309А
Power Dissipation	1.006кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Single
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.7В
Рассеиваемая Мощность	1.006кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench
Вес, г	152.9