GD225HFY120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 368 А, 2 В, 1.229 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт., срок 9-11 недель
102 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 102 000 ֏
Номенклатурный номер: 8000928320
Бренд: STARPOWER
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 368А |
| DC Ток Коллектора | 368А |
| Power Dissipation | 1.229кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.229кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| Вес, г | 411 |
Техническая документация
Datasheet GD225HFY120C6S
pdf, 209 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
