GD300HFX65C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 343 А, 1.45 В, 819 Вт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12 шт., срок 9-11 недель

82 800 ֏

от 5 шт. — 76 900 ֏

от 10 шт. — 75 800 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 82 800 ֏

Номенклатурный номер: 8004526835

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.45В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	343А
DC Ток Коллектора	343А
Power Dissipation	819Вт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.45В
Рассеиваемая Мощность	819Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Field Stop
Вес, г	300