GD600SGU120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single, 830 А, 2.9 В, 4.032 кВт, 125 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 шт., срок 9-11 недель

137 000 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 137 000 ֏

Номенклатурный номер: 8007172850

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	2.9В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	830А
DC Ток Коллектора	830А
Power Dissipation	4.032кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Single
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	2.9В
Рассеиваемая Мощность	4.032кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	NPT Ultra Fast IGBT
Вес, г	200