GT15J341 транзистор, IGBT N-Ch 600V 15A 1.5Vce
![Фото 1/3 GT15J341 транзистор, IGBT N-Ch 600V 15A 1.5Vce](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC043786643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478587.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/051/DOC024051253.jpg)
1 шт. с центрального склада, срок 9 дней
1 810 ֏
1 шт.
на сумму 1 810 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 15 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±25V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220SIS |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 100kHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 9 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг