IGW15T120FKSA1, БТИЗ транзистор, 15 А, 2.2 В, 110 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 890 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
4 140 ֏
от 100 шт. —
2 700 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 14 670 ֏
Описание
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 4.1mJ |
| Gate Capacitance | 1100pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 6.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 357 КБ
