IGW30N60H3FKSA1, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.95 В, 187 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 230 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
3 650 ֏
от 100 шт. —
2 720 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 12 690 ֏
Описание
Описание БТИЗ транзистор, 60 А, 1.95 В, 187 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 60A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.4V@15V, 30A |
| Operating Temperature | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 187W |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 120A |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 165nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 207ns |
| Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1.38mJ |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 21ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 1.38mJ |
| Type | FS(Field Stop) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 187 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 8.98 |
Техническая документация
Datasheet IGW30N60H3FKSA1
pdf, 1995 КБ
