IGW30N65L5XKSA1, БТИЗ транзистор, 85 А, 1.05 В, 227 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 620 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
3 880 ֏
3 шт.
на сумму 13 860 ֏
Описание
The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage. High Efficiency
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 85 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Power Dissipation | 227 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5.42 |
Техническая документация
Datasheet IGW30N65L5XKSA1
pdf, 1617 КБ
