IGW50N65F5FKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 1.6 В, 305 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 800 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
5 100 ֏
от 100 шт. —
3 880 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 11 600 ֏
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IGW50N65F5FKSA1 от INFINEON – высокомощный полупроводниковый компонент, идеально подходящий для мощных электронных схем. С монтажом THT, этот транзистор обеспечивает стабильную работу при токе коллектора до 80 А и напряжении коллектор-эмиттер до 650 В, что делает его надежным выбором для промышленных применений. Мощность устройства достигает 270 Вт, что позволяет использовать его в требовательных энергетических системах. Этот IGBT транзистор упакован в прочный корпус PG-TO247-3, обеспечивающий его долговечность и стабильность. Код товара IGW50N65F5FKSA1 следует использовать при поиске деталей для упрощения процесса выбора и заказа. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 80 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
| Мощность, Вт | 270 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IGW50N65F5 SP000973426 |
| Pd - Power Dissipation: | 305 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | Trenchstop IGBT5 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 305 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Вес, г | 5.42 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1944 КБ
Datasheet IGW50N65F5FKSA1
pdf, 1997 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 653 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 2 КБ
