IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT, 650 V, 61 A, 108W, HSIP247, 1.5 Vsat
![Фото 1/2 IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT, 650 V, 61 A, 108W, HSIP247, 1.5 Vsat](https://static.chipdip.ru/lib/484/DOC035484046.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921185.jpg)
5 800 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
4 940 ֏
от 100 шт. —
3 330 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 11 600 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 61А |
Power Dissipation | 108Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | HSIP247 |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
Вес, г | 11.34 |
Техническая документация
Datasheet IHFW40N65R5SXKSA1
pdf, 1597 КБ