IHW20N65R5XKSA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.35 В, 150 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 080 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 690 ֏
от 100 шт. —
2 060 ֏
4 шт.
на сумму 12 320 ֏
Описание
The Infineon IGBT is a reverse conducting IGBT with monolithic body diode. This IGBT has powerful monolithic reverse conducting diode with low forward voltage and qualified according to JESD022 for target applications.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet IHW20N65R5XKSA1
pdf, 2120 КБ
