IHW25N120E1XKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 1.5 В, 231 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 180 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
3 570 ֏
от 100 шт. —
2 530 ֏
3 шт.
на сумму 12 540 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode suitable for use in inductive cooking, inverterized microwave ovens, resonant converters and soft switching applications. TRENCHSTOP™ technology applications offers very tight parameter distribution, high ruggedness, temperature stable behaviour, low VCEsat, easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat.
• Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only
• Low EMI
• Qualified according to JEDEC for target applications
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Power Dissipation | 231Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Pd - рассеивание мощности | 231 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IHW25N120E1 SP001391910 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | IGBT RC Soft Switching |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Base Product Number | IHW25N120 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 147nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | NPT and Trench |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 231W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | TrenchStopв„ў -> |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 800ВµJ (off) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Brand | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C | 50 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 50 A |
| Factory Pack Quantity | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IHW25N120E1 |
| Pd - Power Dissipation | 231 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 25 A |
| Maximum Power Dissipation | 231 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 25 |
Техническая документация
Datasheet IHW25N120E1XKSA1
pdf, 1893 КБ
Datasheet IHW25N120E1XKSA1
pdf, 1990 КБ
