IHW50N65R5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.35 В, 282 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 100 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 4 230 ֏

от 100 шт. — 2 790 ֏

3 шт. на сумму 15 300 ֏

Номенклатурный номер: 8968037683

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5

Pd - рассеивание мощности	282 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IHW50N65R5 SP001133104
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	50 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	240
Серия	TRENCHSTOP 5 RC-H
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	80 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	282 W
Package Type	PG-TO247-3
Pin Count	3
Вес, г	5.42