IKB20N65EH5ATMA1, БТИЗ транзистор, 38 А, 1.65 В, 125 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
![Фото 1/2 IKB20N65EH5ATMA1, БТИЗ транзистор, 38 А, 1.65 В, 125 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/182/DOC026182250.jpg)
3 380 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 890 ֏
от 100 шт. —
2 290 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 13 520 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 25А, 62,5Вт, D2PAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 38А |
Power Dissipation | 125Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Packaging | Tape and Reel |
Rad Hardened | No |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IKB20N65EH5ATMA1
pdf, 1562 КБ