IKFW75N65ES5XKSA1, IGBT, 650 V, 80 A, 148W, HSIP247, 1.35 Vsat
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 000 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
8 400 ֏
от 10 шт. —
7 600 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 18 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
The Infineon IGBT discrete in TO-247 advanced isolation package addresses applications switching between 10 kHz and 40 kHz and due to high controllability and smooth switching behaviour delivers not only high efficiency but easy design in, faster time to
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 148Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSIP247 |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 148 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | HSIP247 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 11.34 |
Техническая документация
Datasheet IKFW75N65ES5XKSA1
pdf, 1523 КБ
