IKFW90N60EH3XKSA1, БТИЗ транзистор, 77 А, 1.85 В, 178 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 000 ֏
от 5 шт. —
10 000 ֏
от 10 шт. —
9 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
The Infineon IKFW90N60EH3 is Very soft, fast recovery anti-parallel diode and it used 100% isolated mounting surface and also has high speed switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 77 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 30V |
| Maximum Power Dissipation | 178 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2009 КБ
