IKP20N60H3XKSA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.95 В, 170 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 070 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 630 ֏
от 100 шт. —
1 900 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 12 280 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
High speed IGBT in trench and fieldstop technology suitable for use in uninterruptible power supplies, welding converters and converters with high switching frequency.
• TRENCHSTOP™ technology offering very low VCEsat and low EMI
• Very soft, fast recovery anti-parallel diode
• Maximum junction temperature 175°C
• Qualified according to JEDEC for target applications
Технические параметры
| Collector Current | 40А |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Power Dissipation | 170Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOPT |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 170 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO-220-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 73 КБ
Datasheet IKP20N60H3
pdf, 2293 КБ
