IKQ75N120CT2XKSA1, БТИЗ транзистор, 150 А, 1.75 В, 938 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 400 ֏
от 5 шт. —
14 400 ֏
от 10 шт. —
13 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 400 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Responding to the market requirement to accommodate ever increasing amounts of silicon in smaller, space saving packages, Infineon introduces the new package TO-247PLUS for 1200V IGBT.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 150А |
| Power Dissipation | 938Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Channel Type | P |
| Energy Rating | 10.8mJ |
| Gate Capacitance | 4856pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 938 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 20kHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKQ75N120CT2XKSA1
pdf, 2087 КБ
