IKW15N120CS7XKSA1, БТИЗ транзистор, 36 А, 1.65 В, 176 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 000 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
5 100 ֏
от 100 шт. —
3 410 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 12 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
The Infineon's 15 A TRENCHSTOP IGBT7 S7 discrete comes in TO-247 package with EC7 diode inside. It offers low VCEsat to achieve very low conduction losses in target applications and the co-packed very soft and fast emitter controlled diode helps to minimize switching losses contributing to overall low total losses.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 15 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 176 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 5.42 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2007 КБ
