IKW15N120T2FKSA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.7 В, 235 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
![Фото 1/3 IKW15N120T2FKSA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.7 В, 235 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
5 600 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
4 850 ֏
от 100 шт. —
3 800 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 11 200 ֏
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 30А, 235Вт, TO247-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Channel Type | N |
Energy Rating | 2.8mJ |
Gate Capacitance | 1000pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 235 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 4.083 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW15N120T2FKSA1
pdf, 533 КБ