IKW40N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор, 79 А, 1.35 В, 230 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
![Фото 1/3 IKW40N65ES5XKSA1, БТИЗ транзистор, 79 А, 1.35 В, 230 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/037/DOC045037982.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/239/DOC004239141.jpg)
3 600 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
3 070 ֏
от 100 шт. —
2 160 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 14 400 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
IKW40N65ES5, SP001319680
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 79А |
Power Dissipation | 230Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP(TM)5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Automotive | No |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 79 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 230 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Through Hole |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | TO-247 |
Supplier Package | TO-247 |
Tab | Tab |
Technology | Trench Stop 5 |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.35 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 79 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 230 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Вес, г | 4.43 |