IKW40N65H5FKSA1
![Фото 1/3 IKW40N65H5FKSA1](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806615.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC004438522.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
5 200 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
4 630 ֏
от 100 шт. —
3 460 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 15 600 ֏
Описание
Описание Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 74А, 250Вт, PG-TO247-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
RoHS Compliant | Yes |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 74 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IKW40N65H5 SP001001730 |
Pd - Power Dissipation: | 250 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | Trenchstop IGBT5 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2485 КБ
Datasheet IKP40N65H5XKSA1
pdf, 2560 КБ