IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 5, 650В, 50А [PG-TO247-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 700 ֏
3 880 ֏
от 15 шт. —
3 770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 880 ֏
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IKW50N65F5FKSA1 производства INFINEON - это высокомощный компонент для монтажа THT, предназначенный для широкого спектра применений в электронике. С током коллектора 80 А и напряжением коллектор-эмиттер в 650 В, этот транзистор может управлять значительными энергетическими нагрузками, обладая мощностью до 305 Вт. IGBT транзистор выполнен в надежном корпусе PG-TO247-3, что обеспечивает его долговечность и стабильность работы в различных условиях. Модель IKW50N65F5FKSA1 является идеальным выбором для сложных задач, где требуется высокая эффективность и надежность. Товар сочетает в себе передовые технологии INFINEON и качественное исполнение, что делает его предпочтительным вариантом для профессионалов. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 80 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
Мощность, Вт | 305 |
Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
Технология/семейство | TRENCHSTOP 5 | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 305 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 21 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 175 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 | |
Корпус | PG-TO247-3 | |
Вес, г | 7 |
Техническая документация
IKW50N65F5
pdf, 2183 КБ
Datasheet IKW50N65F5
pdf, 2247 КБ