IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]
![Фото 1/4 IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]](https://static.chipdip.ru/lib/569/DOC010569042.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/849/DOC044849979.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/286/DOC005286182.jpg)
20 900 ֏
15 400 ֏
от 15 шт. —
15 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 400 ֏
Описание
Описание Транзистор IGBT, 1,2кВ, 75А, 256Вт, TO247PLUS-4, Серия H3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Технология/семейство | High speed H3 | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 150 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 300 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.35 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 938 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 38 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 303 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 | |
Корпус | PG-TO247-4-2 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1577 КБ
Datasheet IKY75N120CH3 (Infineon)
pdf, 2041 КБ