IPD060N03LG, Транзистор N-MOSFET 30В 50A 56Вт [TO-252-3]
![IPD060N03LG, Транзистор N-MOSFET 30В 50A 56Вт [TO-252-3]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3830 шт. с центрального склада, срок 9 дней
159 ֏
от 100 шт. —
144 ֏
1 шт.
на сумму 159 ֏
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 мОм/30А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 56 | |
| Крутизна характеристики, S | 67 | |
| Корпус | dpak | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IPD060N03L
pdf, 452 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
