Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF1010NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал ...

IRF1010NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 85А [D2-PAK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

910 ֏

600 ֏

от 15 шт. — 540 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 ֏

Номенклатурный номер: 9000618341

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	85
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.011 Ом/43А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	180
Крутизна характеристики, S	3.2
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	2.5