IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 75А [D2-PAK]
![Фото 1/4 IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 75А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
910 ֏
600 ֏
от 15 шт. —
580 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0075 Ом/75А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 | |
| Крутизна характеристики, S | 33 | |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF1010ZSPBF
pdf, 399 КБ
