IRF2805PBF, Транзистор, N-канал 55В 75А авто [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRF2805PBF, Транзистор, N-канал 55В 75А авто [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/751/DOC021751659.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/974/DOC013974248.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC022368656.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752585.jpg)
1 700 ֏
1 020 ֏
от 15 шт. —
1 000 ֏
1 шт.
на сумму 1 020 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 75 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0047 Ом/104А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 | |
Крутизна характеристики, S | 91 | |
Корпус | TO-220AB | |
Особенности | авто применения.175 гр.с | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 264 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF2805PBF
pdf, 278 КБ
Datasheet IRF2805
pdf, 155 КБ