IRF2807STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 82А [D2-PAK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 040 ֏

600 ֏

от 15 шт. — 580 ֏

1 шт. на сумму 600 ֏

Номенклатурный номер: 9000612810

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	82
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.013 ом при 43a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	230
Крутизна характеристики, S	3.8
Корпус	D2PAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	2.5