IRF2907ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 75А [D2PAK]
![Фото 1/3 IRF2907ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 75В 75А [D2PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/863/DOC024863637.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/585/DOC028585550.jpg)
2 190 ֏
1 700 ֏
от 15 шт. —
1 660 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 700 ֏
Описание
This Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 170 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0045 Ом/75А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 330 | |
Крутизна характеристики, S | 18 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF2907ZPBF
pdf, 420 КБ