IRF3717PBF, Транзистор N-канал 20В 20А [SO-8] [EOL]
![IRF3717PBF, Транзистор N-канал 20В 20А [SO-8] [EOL]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 240 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 240 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 20V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0044 Ом/20А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 57 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1.55…2.45 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF3717PBF Datasheet
pdf, 187 КБ