IRF4104SPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 40В 120А [D2-PАK]
![Фото 1/4 IRF4104SPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 40В 120А [D2-PАK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451652.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172378.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/644/DOC044644017.jpg)
1 460 ֏
980 ֏
от 15 шт. —
960 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 980 ֏
Описание
The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0055 Ом/75А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF4104PBF
pdf, 385 КБ
Datasheet IRF4104SPBF
pdf, 376 КБ