IRF520PBF, Транзистор, N-канал 100В 9.2А [TO-220AB]
![Фото 1/6 IRF520PBF, Транзистор, N-канал 100В 9.2А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/215/DOC001215990.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827690.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/389/DOC044389748.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451589.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614548.jpg)
590 ֏
440 ֏
от 15 шт. —
430 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 ֏
Описание
МОП-транзистор 100V N-CH HEXFET
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 Ом/5.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 | |
Крутизна характеристики, S | 2.7 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 152 КБ
Datasheet IRF520PBF
pdf, 275 КБ
IRF520PBF Datasheet
pdf, 224 КБ
Документация
pdf, 274 КБ
Datasheet IRF520
pdf, 153 КБ